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| 数据手册 | IGB20N65S5ATMA1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.35 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 40 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：52,418
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥13.0712
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥13.0712 | ￥13.0712 |
| 10+ | ￥11.0880 | ￥110.8800 |
| 100+ | ￥8.6113 | ￥861.1300 |
| 500+ | ￥7.3156 | ￥3,657.8000 |
| 1,000+ | ￥6.1962 | ￥6,196.2000 |
| 2,000+ | ￥6.0200 | ￥12,040.0000 |
| 10,000+ | ￥5.8437 | ￥58,437.0000 |
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