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    FGAF40N60SMD

    IGBT 晶体管 600 V 80 A 79 W

    制造商:
    ON Semiconductor / Fairchild
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 FGAF40N60SMD 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 Through Hole
    系列 FGAF40N60SMD
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-3PF
    技术 SI
    Pd-功率耗散 79 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 600 V
    集电极—射极饱和电压 2.1 V
    在25 C的连续集电极电流 80 A
    栅极/发射极最大电压 20 V

    库存:58,961

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥28.5045
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥28.5045 ¥28.5045
    10+ ¥24.2297 ¥242.2970
    100+ ¥19.3908 ¥1,939.0800
    250+ ¥18.2802 ¥4,570.0500
    500+ ¥17.2226 ¥8,611.3000
    1,000+ ¥15.0543 ¥15,054.3000
    2,500+ ¥14.4990 ¥36,247.5000
    5,000+ ¥13.8821 ¥69,410.5000

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