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    FGD3N60UNDF

    IGBT 晶体管 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT

    制造商:
    ON Semiconductor / Fairchild
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 FGD3N60UNDF 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    系列 FGD3N60UNDF
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-252-3
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 60 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 600 V
    集电极—射极饱和电压 2.4 V
    在25 C的连续集电极电流 6 A
    栅极/发射极最大电压 20 V

    库存:55,459

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥6.1962
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥6.1962 ¥6.1962
    10+ ¥5.2443 ¥52.4430
    100+ ¥3.9310 ¥393.1000
    250+ ¥3.8165 ¥954.1250
    1,000+ ¥2.7147 ¥2,714.7000
    2,500+ ¥2.6354 ¥6,588.5000
    5,000+ ¥2.4327 ¥12,163.5000
    10,000+ ¥2.3269 ¥23,269.0000

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