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STGWA15H120DF2
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
- 制造商:
- STMicroelectronics
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS:
- 否
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | STGWA15H120DF2 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | IGBT 晶体管 |
安装风格 | Through Hole |
系列 | STGWA15H120DF2 |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 259 W |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.5 V |
在25 C的连续集电极电流 | 30 A |
栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存:51,122
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥39.4691
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥39.4691 | ¥39.4691 |
10+ | ¥34.0132 | ¥340.1320 |
100+ | ¥28.1960 | ¥2,819.6000 |
250+ | ¥26.5213 | ¥6,630.3250 |
500+ | ¥24.8467 | ¥12,423.3500 |
1,000+ | ¥22.6784 | ¥22,678.4000 |
2,500+ | ¥21.9997 | ¥54,999.2500 |
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