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| 数据手册 | FGA50N100BNTD2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | FGA50N100BNTD2 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3PN |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 156 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1000 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.5 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 50 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 25 V |
库存：59,722
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥50.1869
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥50.1869 | ￥50.1869 |
| 10+ | ￥44.6165 | ￥446.1650 |
| 100+ | ￥35.8113 | ￥3,581.1300 |
| 250+ | ￥33.7047 | ￥8,426.1750 |
| 500+ | ￥31.5982 | ￥15,799.1000 |
| 1,000+ | ￥28.8747 | ￥28,874.7000 |
| 2,500+ | ￥28.0109 | ￥70,027.2500 |
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