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| 数据手册 | FGA50S110P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | FGA50S110P |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3PN |
| 技术 | SI |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1100 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.7 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 50 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 25 V |
库存：51,605
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥18.0334
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥18.0334 | ￥18.0334 |
| 10+ | ￥15.3011 | ￥153.0110 |
| 100+ | ￥12.2074 | ￥1,220.7400 |
| 250+ | ￥11.5287 | ￥2,882.1750 |
| 500+ | ￥10.9029 | ￥5,451.4500 |
| 1,000+ | ￥9.4839 | ￥9,483.9000 |
| 2,500+ | ￥9.1666 | ￥22,916.5000 |
| 5,000+ | ￥8.7347 | ￥43,673.5000 |
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