STGP10H60DF
IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd
- 制造商：
- STMicroelectronics
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | STGP10H60DF 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | STGP10H60DF |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 115 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.5 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 20 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：51,925
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥11.2114
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥11.2114 | ￥11.2114 |
| 10+ | ￥9.5456 | ￥95.4560 |
| 100+ | ￥7.4390 | ￥743.9000 |
| 250+ | ￥7.1834 | ￥1,795.8500 |
| 500+ | ￥6.2579 | ￥3,128.9500 |
| 1,000+ | ￥5.3501 | ￥5,350.1000 |
| 2,000+ | ￥5.1826 | ￥10,365.2000 |
| 5,000+ | ￥4.8918 | ￥24,459.0000 |
| 10,000+ | ￥4.6979 | ￥46,979.0000 |
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