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| 数据手册 | FGA6530WDF 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | FGA6530WDF |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3PN-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 176 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.8 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 60 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：50,708
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥19.7698
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥19.7698 | ￥19.7698 |
| 10+ | ￥16.7907 | ￥167.9070 |
| 100+ | ￥13.4502 | ￥1,345.0200 |
| 250+ | ￥12.7010 | ￥3,175.2500 |
| 500+ | ￥11.9606 | ￥5,980.3000 |
| 1,000+ | ￥10.4710 | ￥10,471.0000 |
| 2,500+ | ￥10.0391 | ￥25,097.7500 |
| 5,000+ | ￥9.6073 | ￥48,036.5000 |
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