RGT80TS65DGC11
IGBT 晶体管 650V 40A IGBT Stop Trench
- 制造商：
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | RGT80TS65DGC11 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | RGT80TS65D |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 技术 | SI |
| Pd-功率耗散 | 234 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.65 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 70 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
库存：59,694
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥22.8018
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥22.8018 | ￥22.8018 |
| 10+ | ￥19.3908 | ￥193.9080 |
| 100+ | ￥16.8524 | ￥1,685.2400 |
| 250+ | ￥15.9886 | ￥3,997.1500 |
| 500+ | ￥14.3139 | ￥7,156.9500 |
| 1,000+ | ￥12.0840 | ￥12,084.0000 |
| 2,500+ | ￥11.4670 | ￥28,667.5000 |
| 5,000+ | ￥11.0263 | ￥55,131.5000 |
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