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| 数据手册 | FGA40N65SMD 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | FGA40N65SMD |
| 封装 | Tube |
| 封装 / 箱体 | TO-3PN |
| 技术 | SI |
| Pd-功率耗散 | 349 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.5 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 80 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：52,315
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥22.9252
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥22.9252 | ￥22.9252 |
| 10+ | ￥19.4525 | ￥194.5250 |
| 100+ | ￥15.5567 | ￥1,555.6700 |
| 250+ | ￥14.6841 | ￥3,671.0250 |
| 500+ | ￥13.8204 | ￥6,910.2000 |
| 1,000+ | ￥12.3308 | ￥12,330.8000 |
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