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| 数据手册 | FGA50T65SHD 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | FGA50T65SHD |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3PN |
| 技术 | SI |
| Pd-功率耗散 | 319 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.14 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 100 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
库存：55,129
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥30.7344
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥30.7344 | ￥30.7344 |
| 10+ | ￥26.0894 | ￥260.8940 |
| 100+ | ￥20.8804 | ￥2,088.0400 |
| 250+ | ￥19.7081 | ￥4,927.0250 |
| 500+ | ￥18.5887 | ￥9,294.3500 |
| 1,000+ | ￥16.2354 | ￥16,235.4000 |
| 2,500+ | ￥15.6801 | ￥39,200.2500 |
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