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    STGB20V60DF

    IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed

    制造商:
    STMicroelectronics
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 STGB20V60DF 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    系列 STGB20V60DF
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 D2PAK-3
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 167 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 600 V
    集电极—射极饱和电压 1.8 V
    在25 C的连续集电极电流 40 A
    栅极/发射极最大电压 20 V

    库存:56,870

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥15.5567
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥15.5567 ¥15.5567
    10+ ¥13.1946 ¥131.9460
    100+ ¥10.3476 ¥1,034.7600
    250+ ¥10.0391 ¥2,509.7750
    1,000+ ¥7.3773 ¥7,377.3000
    2,000+ ¥7.1217 ¥14,243.4000
    5,000+ ¥6.7515 ¥33,757.5000
    10,000+ ¥6.5664 ¥65,664.0000

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