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    APT50GT60BRDQ2G

    IGBT 晶体管 FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS

    制造商:
    Microchip / Microsemi
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 APT50GT60BRDQ2G 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-247-3
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 446 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 600 V
    集电极—射极饱和电压 2 V
    在25 C的连续集电极电流 110 A
    栅极/发射极最大电压 30 V

    库存:58,311

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥51.8616
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥51.8616 ¥51.8616
    10+ ¥46.6613 ¥466.6130
    25+ ¥42.5099 ¥1,062.7475
    100+ ¥38.3585 ¥3,835.8500
    250+ ¥35.2560 ¥8,814.0000
    500+ ¥32.1623 ¥16,081.1500
    1,000+ ¥28.0109 ¥28,010.9000
    2,500+ ¥26.9532 ¥67,383.0000

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