NGTB40N120IHRWG
IGBT 晶体管 1200V/40A RC IGBT FSII
- 制造商:
- ON Semiconductor
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | NGTB40N120IHRWG 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | IGBT 晶体管 |
安装风格 | Through Hole |
系列 | NGTB40N120IHR |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 175 C |
封装 / 箱体 | TO-247 |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 384 W |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.3 V |
在25 C的连续集电极电流 | 80 A |
栅极/发射极最大电压 | 25 V |
库存:53,726
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥30.6727
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥30.6727 | ¥30.6727 |
10+ | ¥26.0277 | ¥260.2770 |
100+ | ¥20.8187 | ¥2,081.8700 |
250+ | ¥19.6464 | ¥4,911.6000 |
500+ | ¥18.5270 | ¥9,263.5000 |
1,000+ | ¥16.1737 | ¥16,173.7000 |
2,500+ | ¥15.6184 | ¥39,046.0000 |
5,000+ | ¥14.8692 | ¥74,346.0000 |
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