NGTG35N65FL2WG
IGBT 晶体管 650V/35A FAST IGBT FSII T
- 制造商：
- ON Semiconductor
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | NGTG35N65FL2WG 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.2 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 70 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：55,115
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥22.9252
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥22.9252 | ￥22.9252 |
| 10+ | ￥19.4525 | ￥194.5250 |
| 100+ | ￥15.5567 | ￥1,555.6700 |
| 250+ | ￥14.6841 | ￥3,671.0250 |
| 500+ | ￥13.8821 | ￥6,941.0500 |
| 1,000+ | ￥12.3925 | ￥12,392.5000 |
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