STGWT30H60DFB
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
- 制造商：
- STMicroelectronics
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | STGWT30H60DFB 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | STGWT30H60DFB |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3P |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 260 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.55 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 60 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：56,081
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥19.3291
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥19.3291 | ￥19.3291 |
| 10+ | ￥16.4205 | ￥164.2050 |
| 100+ | ￥13.1329 | ￥1,313.2900 |
| 250+ | ￥12.3925 | ￥3,098.1250 |
| 500+ | ￥11.7138 | ￥5,856.9000 |
| 1,000+ | ￥9.9774 | ￥9,977.4000 |
| 2,500+ | ￥9.7307 | ￥24,326.7500 |
| 5,000+ | ￥8.9815 | ￥44,907.5000 |
申请更低价? 请联系客服
