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    RGTH60TS65GC11

    IGBT 晶体管 650V 30A IGBT Stop Trench

    制造商:
    ROHM Semiconductor
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 RGTH60TS65GC11 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 Through Hole
    系列 RGTH60TS65
    封装 Tube
    最小工作温度 - 40 C
    最大工作温度 + 175 C
    技术 SI
    Pd-功率耗散 194 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 650 V
    集电极—射极饱和电压 1.6 V
    在25 C的连续集电极电流 58 A
    栅极/发射极最大电压 30 V

    库存:52,247

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥18.1568
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥18.1568 ¥18.1568
    10+ ¥15.4245 ¥154.2450
    100+ ¥13.3797 ¥1,337.9700
    250+ ¥12.7010 ¥3,175.2500
    500+ ¥11.4053 ¥5,702.6500
    1,000+ ¥9.6073 ¥9,607.3000
    2,500+ ¥9.1049 ¥22,762.2500
    5,000+ ¥8.7964 ¥43,982.0000

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