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    IXA45IF1200HB

    IGBT 晶体管 N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

    制造商:
    IXYS
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IXA45IF1200HB 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 Through Hole
    系列 IXA45IF1200HB
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-247-3
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 325 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 1200 V
    集电极—射极饱和电压 1.8 V
    在25 C的连续集电极电流 78 A
    栅极/发射极最大电压 20 V

    库存:50,983

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥40.4651
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥40.4651 ¥40.4651
    10+ ¥36.1903 ¥361.9030
    25+ ¥31.5982 ¥789.9550
    50+ ¥30.1174 ¥1,505.8700
    100+ ¥29.6150 ¥2,961.5000
    250+ ¥26.7681 ¥6,692.0250
    500+ ¥21.0655 ¥10,532.7500
    1,000+ ¥19.6464 ¥19,646.4000
    2,500+ ¥18.9589 ¥47,397.2500

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