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STGFW30V60DF

IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed

制造商:
STMicroelectronics
产品类别
IGBT 晶体管
无铅情况/RoHS:
无铅/符合RoHS
供货:
商城自营

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数据手册 STGFW30V60DF 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
系列 STGFW30V60DF
封装 Tube
最小工作温度 - 55 C
最大工作温度 + 175 C
封装 / 箱体 TO-3PF
技术 SI
配置 Single
Pd-功率耗散 58 W
集电极—发射极最大电压 VCEO 600 V
集电极—射极饱和电压 1.85 V
在25 C的连续集电极电流 60 A
栅极/发射极最大电压 20 V

库存:59,741

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥20.6336
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥20.6336 ¥20.6336
10+ ¥17.5310 ¥175.3100
100+ ¥14.0054 ¥1,400.5400
250+ ¥13.2563 ¥3,314.0750
500+ ¥12.4542 ¥6,227.1000
1,000+ ¥10.6561 ¥10,656.1000
2,500+ ¥10.3476 ¥25,869.0000
5,000+ ¥9.6073 ¥48,036.5000

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