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| 数据手册 | FGA30T65SHD 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | FGA30T65SHD |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3PN |
| 技术 | SI |
| Pd-功率耗散 | 238 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.14 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 60 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
库存：50,294
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥22.6167
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥22.6167 | ￥22.6167 |
| 10+ | ￥19.2057 | ￥192.0570 |
| 100+ | ￥15.3628 | ￥1,536.2800 |
| 250+ | ￥14.4990 | ￥3,624.7500 |
| 500+ | ￥13.6353 | ￥6,817.6500 |
| 1,000+ | ￥11.9606 | ￥11,960.6000 |
| 2,500+ | ￥11.5287 | ￥28,821.7500 |
| 5,000+ | ￥10.9646 | ￥54,823.0000 |
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