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    NGTB20N60L2TF1G

    IGBT 晶体管 600V 20A IGBT TO-3PF

    制造商:
    ON Semiconductor
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 NGTB20N60L2TF1G 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 Through Hole
    系列 NGTB20N60L2TF1G
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-3PF-3L
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 64 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 600 V
    集电极—射极饱和电压 1.45 V
    在25 C的连续集电极电流 40 A
    栅极/发射极最大电压 20 V

    库存:57,184

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥18.2802
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥18.2802 ¥18.2802
    10+ ¥15.4950 ¥154.9500
    100+ ¥12.3925 ¥1,239.2500
    250+ ¥11.7138 ¥2,928.4500
    500+ ¥11.0263 ¥5,513.1500
    1,000+ ¥9.6690 ¥9,669.0000
    2,500+ ¥9.2988 ¥23,247.0000
    5,000+ ¥8.8581 ¥44,290.5000

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