NGTB30N120FL2WG
IGBT 晶体管 1200V/30A FAST IGBT FSII
- 制造商：
- ON Semiconductor
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | NGTB30N120FL2WG 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | NGTB30N120FL2 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 452 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 60 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
库存：52,014
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥50.4337
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥50.4337 | ￥50.4337 |
| 10+ | ￥43.3737 | ￥433.7370 |
| 100+ | ￥35.9964 | ￥3,599.6400 |
| 250+ | ￥33.8898 | ￥8,472.4500 |
| 500+ | ￥31.7216 | ￥15,860.8000 |
| 1,000+ | ￥29.3066 | ￥29,306.6000 |
| 2,500+ | ￥28.1343 | ￥70,335.7500 |
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