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| 数据手册 | IXYN82N120C3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 系列 | IXYN82N120 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227B-4 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 600 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.75 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 120 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
库存：56,392
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥188.3640
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥188.3640 | ￥188.3640 |
| 5+ | ￥188.1789 | ￥940.8945 |
| 10+ | ￥163.5790 | ￥1,635.7900 |
| 25+ | ￥158.0703 | ￥3,951.7575 |
| 50+ | ￥154.2891 | ￥7,714.4550 |
| 100+ | ￥147.1585 | ￥14,715.8500 |
| 200+ | ￥135.6386 | ￥27,127.7200 |
| 500+ | ￥129.9360 | ￥64,968.0000 |
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