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| 数据手册 | HGTP12N60C3D 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | HGTP12N60C3D |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 104 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.65 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 24 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：59,980
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥22.7401
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥22.7401 | ￥22.7401 |
| 10+ | ￥19.3291 | ￥193.2910 |
| 100+ | ￥15.4950 | ￥1,549.5000 |
| 250+ | ￥14.6224 | ￥3,655.6000 |
| 500+ | ￥13.7587 | ￥6,879.3500 |
| 1,000+ | ￥12.2691 | ￥12,269.1000 |
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