文档与媒体
| 数据手册 | IXDN55N120D1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 系列 | IXDN55N120 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227B-4 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single Dual Emitter |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.3 V |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：59,609
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥130.2445
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥130.2445 | ￥130.2445 |
| 5+ | ￥129.0634 | ￥645.3170 |
| 10+ | ￥120.0819 | ￥1,200.8190 |
| 25+ | ￥114.6966 | ￥2,867.4150 |
| 100+ | ￥101.1847 | ￥10,118.4700 |
| 200+ | ￥94.4332 | ￥18,886.6400 |
| 500+ | ￥86.3155 | ￥43,157.7500 |
申请更低价? 请联系客服
