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| 数据手册 | IXGN200N60B3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 系列 | IXGN200N60 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227B-4 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 830 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.35 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 300 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：51,976
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥201.8759
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥201.8759 | ￥201.8759 |
| 5+ | ￥200.0778 | ￥1,000.3890 |
| 10+ | ￥186.1341 | ￥1,861.3410 |
| 25+ | ￥177.7696 | ￥4,444.2400 |
| 50+ | ￥175.4162 | ￥8,770.8100 |
| 100+ | ￥165.2537 | ￥16,525.3700 |
| 200+ | ￥146.4182 | ￥29,283.6400 |
| 500+ | ￥144.3116 | ￥72,155.8000 |
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