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    IXBF55N300

    IGBT 晶体管 High Voltage High Gain BIMOSFET

    制造商:
    IXYS
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IXBF55N300 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 Through Hole
    系列 Very High Voltage
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 ISOPLUS i4-PAK-3
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 357 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 3 kV
    集电极—射极饱和电压 2.7 V
    在25 C的连续集电极电流 86 A
    栅极/发射极最大电压 25 V

    库存:55,175

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥501.3403
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥501.3403 ¥501.3403
    5+ ¥495.5143 ¥2,477.5715
    10+ ¥488.9478 ¥4,889.4780
    25+ ¥425.1874 ¥10,629.6850
    100+ ¥412.8566 ¥41,285.6600

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