STGP8M120DF3
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
- 制造商：
- STMicroelectronics
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | STGP8M120DF3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | STGP8M120DF3 |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 167 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.2 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.85 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 16 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：50,583
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥27.5085
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥27.5085 | ￥27.5085 |
| 10+ | ￥23.3571 | ￥233.5710 |
| 100+ | ￥18.8972 | ￥1,889.7200 |
| 250+ | ￥18.3419 | ￥4,585.4750 |
| 500+ | ￥15.6184 | ￥7,809.2000 |
| 1,000+ | ￥14.2522 | ￥14,252.2000 |
| 2,000+ | ￥13.8204 | ￥27,640.8000 |
| 5,000+ | ￥13.3797 | ￥66,898.5000 |
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