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| 数据手册 | IXDN75N120 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 系列 | IXDN75N120 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227B-4 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single Dual Emitter |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.2 V |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：54,459
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥157.6296
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥157.6296 | ￥157.6296 |
| 5+ | ￥156.2105 | ￥781.0525 |
| 10+ | ￥145.3605 | ￥1,453.6050 |
| 25+ | ￥138.7941 | ￥3,469.8525 |
| 50+ | ￥137.8686 | ￥6,893.4300 |
| 100+ | ￥122.4970 | ￥12,249.7000 |
| 250+ | ￥114.3176 | ￥28,579.4000 |
| 500+ | ￥104.5340 | ￥52,267.0000 |
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