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    APT50GN120L2DQ2G

    IGBT 晶体管 FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-264 MAX, RoHS

    制造商:
    Microchip / Microsemi
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 APT50GN120L2DQ2G 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-264-3
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 543 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 1.2 kV
    集电极—射极饱和电压 1.7 V
    在25 C的连续集电极电流 134 A
    栅极/发射极最大电压 30 V

    库存:51,894

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥110.1662
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥110.1662 ¥110.1662
    10+ ¥100.1270 ¥1,001.2700
    25+ ¥92.5734 ¥2,314.3350
    50+ ¥87.6112 ¥4,380.5600
    100+ ¥84.5174 ¥8,451.7400
    250+ ¥77.1401 ¥19,285.0250
    500+ ¥72.2484 ¥36,124.2000
    1,000+ ¥64.4392 ¥64,439.2000

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