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STGFW40H65FB

IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed

制造商:
STMicroelectronics
产品类别
IGBT 晶体管
无铅情况/RoHS:
无铅/符合RoHS
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 STGFW40H65FB 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
系列 STGFW40H65FB
封装 / 箱体 TO-3PF
技术 SI
配置 Single
Pd-功率耗散 62.5 W
集电极—发射极最大电压 VCEO 650 V
集电极—射极饱和电压 2 V
在25 C的连续集电极电流 80 A

库存:57,375

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥15.5567
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥15.5567 ¥15.5567
10+ ¥13.1946 ¥131.9460
100+ ¥10.2859 ¥1,028.5900
250+ ¥9.9774 ¥2,494.3500
500+ ¥8.7347 ¥4,367.3500
1,000+ ¥7.3773 ¥7,377.3000
2,500+ ¥7.1834 ¥17,958.5000
5,000+ ¥6.7515 ¥33,757.5000
10,000+ ¥6.5664 ¥65,664.0000

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