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| 数据手册 | IXGB200N60B3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | IXGB200N60 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PLUS 264-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1.25 kW |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.35 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 75 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：52,664
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥144.1265
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥144.1265 | ￥144.1265 |
| 5+ | ￥136.9343 | ￥684.6715 |
| 10+ | ￥133.3470 | ￥1,333.4700 |
| 25+ | ￥122.4970 | ￥3,062.4250 |
| 50+ | ￥119.5267 | ￥5,976.3350 |
| 100+ | ￥113.8857 | ￥11,388.5700 |
| 250+ | ￥104.4723 | ￥26,118.0750 |
| 500+ | ￥99.4484 | ￥49,724.2000 |
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