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| 数据手册 | IXGB200N60B3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | IXGB200N60 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PLUS 264-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1.25 kW |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.35 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 75 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存:52,664
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥144.1265
| 数量 | 单价(含税) | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ¥144.1265 | ¥144.1265 |
| 5+ | ¥136.9343 | ¥684.6715 |
| 10+ | ¥133.3470 | ¥1,333.4700 |
| 25+ | ¥122.4970 | ¥3,062.4250 |
| 50+ | ¥119.5267 | ¥5,976.3350 |
| 100+ | ¥113.8857 | ¥11,388.5700 |
| 250+ | ¥104.4723 | ¥26,118.0750 |
| 500+ | ¥99.4484 | ¥49,724.2000 |
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