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    STGWA15S120DF3

    IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 15 A low drop

    制造商:
    STMicroelectronics
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 STGWA15S120DF3 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 Through Hole
    系列 STGWA15S120DF3
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO247-3
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 259 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 1.2 kV
    集电极—射极饱和电压 1.55 V
    在25 C的连续集电极电流 30 A
    栅极/发射极最大电压 20 V

    库存:56,891

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥39.4691
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥39.4691 ¥39.4691
    10+ ¥34.0132 ¥340.1320
    100+ ¥28.1960 ¥2,819.6000
    250+ ¥26.5213 ¥6,630.3250
    500+ ¥24.8467 ¥12,423.3500
    1,000+ ¥22.3699 ¥22,369.9000
    2,500+ ¥21.5590 ¥53,897.5000

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