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    APT35GN120SG

    IGBT 晶体管 FG, IGBT, 1200V, 35A, D3, TO-268, RoHS

    制造商:
    Microchip / Microsemi
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 APT35GN120SG 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 D3PAK-3
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 379 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 1200 V
    集电极—射极饱和电压 1.7 V
    在25 C的连续集电极电流 94 A
    栅极/发射极最大电压 30 V

    库存:50,868

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥77.2635
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥77.2635 ¥77.2635
    5+ ¥74.2315 ¥371.1575
    10+ ¥71.4463 ¥714.4630
    25+ ¥65.6202 ¥1,640.5050
    50+ ¥63.2052 ¥3,160.2600
    100+ ¥60.9753 ¥6,097.5300
    250+ ¥55.9513 ¥13,987.8250
    500+ ¥54.0298 ¥27,014.9000
    1,000+ ¥52.1084 ¥52,108.4000

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