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| 数据手册 | GT30J341,Q 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | GT30J341 |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3PN-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 230 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.5 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 59 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 25 V |
库存：56,283
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥25.0318
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥25.0318 | ￥25.0318 |
| 10+ | ￥20.2634 | ￥202.6340 |
| 20+ | ￥18.2185 | ￥364.3700 |
| 50+ | ￥17.4693 | ￥873.4650 |
| 100+ | ￥15.1777 | ￥1,517.7700 |
| 200+ | ￥14.9926 | ￥2,998.5200 |
| 500+ | ￥13.3797 | ￥6,689.8500 |
| 1,000+ | ￥12.5776 | ￥12,577.6000 |
| 2,000+ | ￥11.2114 | ￥22,422.8000 |
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