NGTB20N120IHRWG
IGBT 晶体管 1200V/20A RC IGBT FSII
- 制造商:
- ON Semiconductor
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | NGTB20N120IHRWG 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | IGBT 晶体管 |
安装风格 | Through Hole |
系列 | NGTB20N120IHR |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
封装 / 箱体 | TO-247 |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 384 W |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.1 V |
在25 C的连续集电极电流 | 40 A |
栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存:52,164
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥27.8875
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥27.8875 | ¥27.8875 |
10+ | ¥23.6656 | ¥236.6560 |
100+ | ¥18.8972 | ¥1,889.7200 |
250+ | ¥17.8484 | ¥4,462.1000 |
500+ | ¥16.8524 | ¥8,426.2000 |
1,000+ | ¥14.6841 | ¥14,684.1000 |
2,500+ | ¥14.1905 | ¥35,476.2500 |
5,000+ | ¥13.5736 | ¥67,868.0000 |
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