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    NGTB20N120IHRWG

    IGBT 晶体管 1200V/20A RC IGBT FSII

    制造商:
    ON Semiconductor
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 NGTB20N120IHRWG 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 Through Hole
    系列 NGTB20N120IHR
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-247
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 384 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 1200 V
    集电极—射极饱和电压 2.1 V
    在25 C的连续集电极电流 40 A
    栅极/发射极最大电压 20 V

    库存:52,164

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥27.8875
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥27.8875 ¥27.8875
    10+ ¥23.6656 ¥236.6560
    100+ ¥18.8972 ¥1,889.7200
    250+ ¥17.8484 ¥4,462.1000
    500+ ¥16.8524 ¥8,426.2000
    1,000+ ¥14.6841 ¥14,684.1000
    2,500+ ¥14.1905 ¥35,476.2500
    5,000+ ¥13.5736 ¥67,868.0000

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