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| 数据手册 | IXYP20N65C3D1M 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | IXYP20N65 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 50 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.27 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 18 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
库存：53,298
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥19.0206
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥19.0206 | ￥19.0206 |
| 10+ | ￥17.1609 | ￥171.6090 |
| 25+ | ￥15.6184 | ￥390.4600 |
| 50+ | ￥15.0543 | ￥752.7150 |
| 100+ | ￥14.0671 | ￥1,406.7100 |
| 250+ | ￥13.6970 | ￥3,424.2500 |
| 500+ | ￥10.9646 | ￥5,482.3000 |
| 1,000+ | ￥9.0432 | ￥9,043.2000 |
| 2,500+ | ￥8.7347 | ￥21,836.7500 |
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