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| 数据手册 | IXYH75N65C3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | IXYH75N65 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247AD-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 750 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.8 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 170 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
库存:58,396
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥45.5419
| 数量 | 单价(含税) | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ¥45.5419 | ¥45.5419 |
| 10+ | ¥41.0204 | ¥410.2040 |
| 25+ | ¥37.3625 | ¥934.0625 |
| 50+ | ¥34.1454 | ¥1,707.2700 |
| 100+ | ¥33.7047 | ¥3,370.4700 |
| 250+ | ¥30.7344 | ¥7,683.6000 |
| 500+ | ¥28.2577 | ¥14,128.8500 |
| 1,000+ | ¥24.5999 | ¥24,599.9000 |
| 2,500+ | ¥24.2914 | ¥60,728.5000 |
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