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| 数据手册 | IXBT10N170 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 系列 | IXBT10N170 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-268-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 140 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.7 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 3.4 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 20 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：52,386
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥63.7605
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥63.7605 | ￥63.7605 |
| 10+ | ￥57.3791 | ￥573.7910 |
| 25+ | ￥52.2935 | ￥1,307.3375 |
| 50+ | ￥47.7719 | ￥2,388.5950 |
| 100+ | ￥47.2166 | ￥4,721.6600 |
| 250+ | ￥43.0035 | ￥10,750.8750 |
| 500+ | ￥39.5308 | ￥19,765.4000 |
| 1,000+ | ￥34.4539 | ￥34,453.9000 |
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