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| 数据手册 | IXYH75N65C3H1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | IXYH75N65 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247AD-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 750 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.8 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 170 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
库存：56,745
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥70.2652
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥70.2652 | ￥70.2652 |
| 10+ | ￥64.5626 | ￥645.6260 |
| 25+ | ￥61.5922 | ￥1,539.8050 |
| 50+ | ￥59.2389 | ￥2,961.9450 |
| 100+ | ￥53.5362 | ￥5,353.6200 |
| 250+ | ￥51.4914 | ￥12,872.8500 |
| 500+ | ￥48.4506 | ￥24,225.3000 |
| 1,000+ | ￥44.4931 | ￥44,493.1000 |
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