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| 数据手册 | IXGF32N170 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | IXGF32N170 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | ISOPLUS i4-PAK-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.7 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.7 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 44 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：50,603
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥121.9417
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥121.9417 | ￥121.9417 |
| 10+ | ￥114.5027 | ￥1,145.0270 |
| 25+ | ￥99.5718 | ￥2,489.2950 |
| 50+ | ￥95.6672 | ￥4,783.3600 |
| 100+ | ￥93.3138 | ￥9,331.3800 |
| 250+ | ￥85.2578 | ￥21,314.4500 |
| 500+ | ￥80.3661 | ￥40,183.0500 |
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