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| 数据手册 | IXGT16N170 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 系列 | IXGT16N170 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-268-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.7 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.7 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 32 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：58,552
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥72.3718
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥72.3718 | ￥72.3718 |
| 10+ | ￥65.1266 | ￥651.2660 |
| 25+ | ￥59.3623 | ￥1,484.0575 |
| 50+ | ￥54.2149 | ￥2,710.7450 |
| 100+ | ￥53.5979 | ￥5,359.7900 |
| 250+ | ￥48.8296 | ￥12,207.4000 |
| 500+ | ￥44.8633 | ￥22,431.6500 |
| 1,000+ | ￥39.0989 | ￥39,098.9000 |
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