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| 数据手册 | GT40WR21,Q 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | GT40WR21 |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3PN-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 375 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1800 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.9 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 40 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 25 V |
库存：56,741
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥73.1121
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥73.1121 | ￥73.1121 |
| 10+ | ￥66.2372 | ￥662.3720 |
| 20+ | ￥59.9793 | ￥1,199.5860 |
| 100+ | ￥52.1701 | ￥5,217.0100 |
| 200+ | ￥51.6148 | ￥10,322.9600 |
| 500+ | ￥45.3568 | ￥22,678.4000 |
| 1,000+ | ￥42.3865 | ￥42,386.5000 |
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