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| 数据手册 | GT50J341,Q 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | GT50J341 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3PN-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.6 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 50 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 25 V |
库存：56,546
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥26.4596
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥26.4596 | ￥26.4596 |
| 10+ | ￥21.4356 | ￥214.3560 |
| 25+ | ￥19.6464 | ￥491.1600 |
| 50+ | ￥17.0992 | ￥854.9600 |
| 250+ | ￥15.8652 | ￥3,966.3000 |
| 500+ | ￥14.1288 | ￥7,064.4000 |
| 1,000+ | ￥13.2563 | ￥13,256.3000 |
| 2,500+ | ￥11.8372 | ￥29,593.0000 |
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