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| 数据手册 | IXYP10N65C3D1M 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 53 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.27 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 15 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：57,666
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥15.8035
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥15.8035 | ￥15.8035 |
| 10+ | ￥14.3139 | ￥143.1390 |
| 25+ | ￥13.0095 | ￥325.2375 |
| 50+ | ￥12.5159 | ￥625.7950 |
| 100+ | ￥11.7138 | ￥1,171.3800 |
| 250+ | ￥11.4053 | ￥2,851.3250 |
| 500+ | ￥9.1049 | ￥4,552.4500 |
| 1,000+ | ￥7.5624 | ￥7,562.4000 |
| 2,500+ | ￥7.3156 | ￥18,289.0000 |
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