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    GT20J341,S4X(S

    IGBT 晶体管 DISCRETE IGBT V=1.5 IC=20A

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 GT20J341,S4X(S 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 Through Hole
    系列 GT20J341
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-220SIS-3
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 45 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 600 V
    集电极—射极饱和电压 1.5 V
    在25 C的连续集电极电流 20 A
    栅极/发射极最大电压 25 V

    库存:50,801

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥18.2802
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥18.2802 ¥18.2802
    10+ ¥15.8652 ¥158.6520
    100+ ¥12.2691 ¥1,226.9100
    500+ ¥9.0432 ¥4,521.6000
    1,000+ ¥7.2539 ¥7,253.9000
    2,500+ ¥6.3813 ¥15,953.2500
    5,000+ ¥5.9406 ¥29,703.0000
    10,000+ ¥5.8701 ¥58,701.0000

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