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| 数据手册 | SGH30N60RUFDTU 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | SGH30N60RUFD |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3P-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 235 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.2 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 48 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：56,548
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥29.2449
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥29.2449 | ￥29.2449 |
| 10+ | ￥24.8467 | ￥248.4670 |
| 100+ | ￥19.8932 | ￥1,989.3200 |
| 250+ | ￥18.7738 | ￥4,693.4500 |
| 500+ | ￥17.6633 | ￥8,831.6500 |
| 1,000+ | ￥15.4950 | ￥15,495.0000 |
| 2,500+ | ￥14.9309 | ￥37,327.2500 |
| 5,000+ | ￥14.2522 | ￥71,261.0000 |
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