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数据手册 | IXGH42N30C3 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | IGBT 晶体管 |
安装风格 | Through Hole |
系列 | IXGH42N30 |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-247AD-3 |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 223 W |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 300 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.54 V |
栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存:56,848
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥16.7907
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥16.7907 | ¥16.7907 |
10+ | ¥15.1777 | ¥151.7770 |
25+ | ¥13.8204 | ¥345.5100 |
50+ | ¥13.3180 | ¥665.9000 |
100+ | ¥12.4542 | ¥1,245.4200 |
250+ | ¥12.1457 | ¥3,036.4250 |
500+ | ¥9.6690 | ¥4,834.5000 |
1,000+ | ¥8.0560 | ¥8,056.0000 |
2,500+ | ¥7.7475 | ¥19,368.7500 |
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