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| 数据手册 | NGD8201BNT4G 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-252-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 115 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 430 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 50 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 18 V |
库存：53,385
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥9.1049
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥9.1049 | ￥9.1049 |
| 10+ | ￥7.7475 | ￥77.4750 |
| 100+ | ￥5.9935 | ￥599.3500 |
| 500+ | ￥5.2884 | ￥2,644.2000 |
| 1,000+ | ￥4.1778 | ￥4,177.8000 |
| 2,500+ | ￥3.7019 | ￥9,254.7500 |
| 5,000+ | ￥3.6226 | ￥18,113.0000 |
| 10,000+ | ￥3.5609 | ￥35,609.0000 |
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