STGB4M65DF2
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
- 制造商：
- STMicroelectronics
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | STGB4M65DF2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 系列 | STGB4M65DF2 |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | D2PAK-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 68 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.6 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 8 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：57,547
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 2000
- 参考单价：
- ￥3.2612
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 2,000+ | ￥3.2612 | ￥6,522.4000 |
| 5,000+ | ￥2.9703 | ￥14,851.5000 |
| 10,000+ | ￥2.8293 | ￥28,293.0000 |
申请更低价? 请联系客服
